Številka izdelka proizvajalca:
SPP10N10
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPP10N10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 50W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Zaloga:
12806489
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPP10N10 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
170mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 21µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
426 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
50W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-1
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SPP10N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
INFINFSPP10N10
2156-SPP10N10-IT
SPP10N10X
SP000013844
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF540ZPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
41160
ŠTEVILKA DELA
IRF540ZPBF-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRL530PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
10171
ŠTEVILKA DELA
IRL530PBF-DG
CENA ENOTE
0.56
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPW60R045CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3
IRLR2905ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
