Številka izdelka proizvajalca:
SPP11N80C3XKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPP11N80C3XKSA1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Zaloga:
6913 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12807478
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPP11N80C3XKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolMOS™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.9V @ 680µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1600 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
156W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3-1
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SPP11N80
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SP000683158
SPP11N80C3XTIN
SPP11N80C3IN-NDR
SPP11N80C3IN-DG
SPP11N80C3
SPP11N80C3IN
SPP11N80C3XTIN-DG
SPP11N80C3X
SPP11N80C3XK
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SPW32N50C3FKSA1
MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
IRFSL4510PBF
MOSFET N-CH 100V 61A TO262
IRF3205SPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
