Številka izdelka proizvajalca:
SPP18P06PHKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPP18P06PHKSA1-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
Podroben opis:
P-Channel 60 V 18.7A (Ta) 81.1W (Ta) Through Hole PG-TO220-3
Zaloga:
12807959
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPP18P06PHKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
SIPMOS®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 13.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
860 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
81.1W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
SPP18P
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SPP18P06PIN-NDR
SP000012300
SPP18P06PXK
SPP18P06PXTIN-DG
SPP18P06PIN-DG
SPP18P06PXTIN
SPP18P06PX
SPP18P06P
SPP18P06PIN
Standardni paket
500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SPP18P06PHXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
711
ŠTEVILKA DELA
SPP18P06PHXKSA1-DG
CENA ENOTE
0.59
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRL1104L
MOSFET N-CH 40V 104A TO262
SPP15N60CFDXKSA1
LOW POWER_LEGACY
SPD03N60S5BTMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3