SPU18P06P

Številka izdelka proizvajalca:

SPU18P06P

Product Overview

Proizvajalec:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Številka dela:

SPU18P06P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 60V 18.6A TO251-3

Podroben opis:

P-Channel 60 V 18.6A (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12807302

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

SPU18P06P Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Infineon Technologies

Pakiranje

-

Serije

SIPMOS®

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

60 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

18.6A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

130mOhm @ 13.2A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 1mA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

33 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

860 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

-

Delovna temperatura

-

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

PG-TO251-3

Paket / Primer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Osnovna številka izdelka

SPU18P

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

2156-SPU18P06P-IT

INFINFSPU18P06P

SPU18P06PIN

SPU18P06PXK

SPU18P06PX

SP000012303

SPU18P06P-DG

Standardni paket

75

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

infineon-technologies

IRLR3110ZTRLPBF

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

infineon-technologies

IRFR3504TRRPBF

MOSFET N-CH 40V 30A DPAK

infineon-technologies

IRFU3303PBF

MOSFET N-CH 30V 33A IPAK

infineon-technologies

IRL3102PBF

MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB