Številka izdelka proizvajalca:
SPU30N03S2L-10
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
SPU30N03S2L-10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Podroben opis:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 82W (Tc) Through Hole P-TO251-3-1
Zaloga:
12807006
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SPU30N03S2L-10 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
-
Serije
OptiMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
39.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1460 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
82W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
P-TO251-3-1
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
SPU30N
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP000013467
SPU30N03S2L-10IN
SPU30N03S2L10X
SPU30N03S2L-10XTIN-DG
SPU30N03S2L-10IN-NDR
SPU30N03S2L-10XTIN
Standardni paket
1,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SN7002W L6433
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT323-3
IPLU300N04S41R1XTMA1
MOSFET N-CH 40V 300A 8HSOF
IRF7478PBF
MOSFET N-CH 60V 7A 8SO
