Številka izdelka proizvajalca:
AUIRF3205ZS
Product Overview
Proizvajalec:
International Rectifier
DiGi Electronics Številka dela:
AUIRF3205ZS-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
1650 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946806
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AUIRF3205ZS Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 66A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3450 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
170W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
2156-AUIRF3205ZS
INFIRFAUIRF3205ZS
Standardni paket
237
Okoljska in izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDP39N20
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
FDMS4435BZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
FQD1N60CTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1