Številka izdelka proizvajalca:
AUIRF7675M2TR
Product Overview
Proizvajalec:
International Rectifier
DiGi Electronics Številka dela:
AUIRF7675M2TR-DG
Opis:
AUIRF7675M2 - 120V-300V N-CHANNE
Podroben opis:
N-Channel 150 V 4.4A (Ta), 18A (Tc) 2.7W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric M2
Zaloga:
2988 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12946055
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
AUIRF7675M2TR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Pakiranje
Bulk
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.4A (Ta), 18A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
56mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1360 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.7W (Ta), 45W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DirectFET™ Isometric M2
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric M2
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
INFIRFAUIRF7675M2TR
2156-AUIRF7675M2TR
Standardni paket
267
Okoljska in izvozna klasifikacija
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FCP16N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
2SK2632LS-CB11
2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3