Številka izdelka proizvajalca:
IXFA3N120-TRL
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFA3N120-TRL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Zaloga:
12820455
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFA3N120-TRL Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HiPerFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1050 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263AA (IXFA)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IXFA3
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
IXFA3N120-TRLCT
IXFA3N120TRLCT-DG
IXFA3N120-TRLTR
IXFA3N120TRL
IXFA3N120TRLTR-DG
IXFA3N120TRLTR
IXFA3N120-TRLDKR
IXFA3N120TRLCT
IXFA3N120TRLDKR
IXFA3N120TRLDKR-DG
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTQ56N15T
MOSFET N-CH 150V 56A TO3P
IXFK80N10Q
MOSFET N-CH TO-264AA
IXTH6N90
MOSFET N-CH 900V 6A TO247
