IXFH110N10P
Številka izdelka proizvajalca:

IXFH110N10P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFH110N10P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 110A TO247AD
Podroben opis:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Zaloga:

12914947
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFH110N10P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
110A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
15mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
480W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AD (IXFH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXFH110

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
littelfuse

VMO650-01F

MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB

vishay-siliconix

SI7738DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8

littelfuse

IXTA44P15T

MOSFET P-CH 150V 44A TO263

vishay-siliconix

SI2316BDS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3