Številka izdelka proizvajalca:
IXFH20N85X
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFH20N85X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Podroben opis:
N-Channel 850 V 20A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Zaloga:
271 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12819301
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFH20N85X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Ultra X
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
850 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
330mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 2.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1660 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
540W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXFH20
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO268
IXFH23N60Q
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD
IXFN320N17T2
MOSFET N-CH 170V 260A SOT227B
