IXFH24N90P
Številka izdelka proizvajalca:

IXFH24N90P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFH24N90P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 900V 24A TO247AD
Podroben opis:
N-Channel 900 V 24A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)

Zaloga:

178 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12911633
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
RuGC
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFH24N90P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
420mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
6.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
660W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AD (IXFH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXFH24

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXF(H,T)24N90P
HTML tehnični list
IXFH24N90P-DG
Tehnični listi
IXFH24N90P

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRLZ24STRL

MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK

littelfuse

IXKP13N60C5

MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB

vishay-siliconix

IRFIBF20GPBF

MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3

littelfuse

IXTT30N60P

MOSFET N-CH 600V 30A TO268