IXFH40N85X
Številka izdelka proizvajalca:

IXFH40N85X

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFH40N85X-DG

Opis:

MOSFET N-CH 850V 40A TO247
Podroben opis:
N-Channel 850 V 40A (Tc) 860W (Tc) Through Hole TO-247

Zaloga:

86 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12910679
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFH40N85X Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Ultra X
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
850 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3700 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
860W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXFH40

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFR110TRRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

vishay-siliconix

IRFZ40

MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB

vishay-siliconix

IRF744

MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB

vishay-siliconix

IRF830BPBF

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB