Številka izdelka proizvajalca:
IXFH80N25X3
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFH80N25X3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 80A TO247
Podroben opis:
N-Channel 250 V 80A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Zaloga:
21 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12820730
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFH80N25X3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Ultra X3
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5430 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
390W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXFH80
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
-IXFH80N25X3
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF250P224
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
323
ŠTEVILKA DELA
IRF250P224-DG
CENA ENOTE
5.12
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFK78N50P3
MOSFET N-CH 500V 78A TO264AA
IXTQ64N25P
MOSFET N-CH 250V 64A TO3P
IXTA36N30T
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
