IXFK200N10P
Številka izdelka proizvajalca:

IXFK200N10P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFK200N10P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA
Podroben opis:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12819347
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFK200N10P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
200A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 8mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
235 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7600 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
830W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-264AA (IXFK)
Paket / Primer
TO-264-3, TO-264AA
Osnovna številka izdelka
IXFK200

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXF(K,X)200N10P
HTML tehnični list
IXFK200N10P-DG
Tehnični listi
IXFK200N10P

Dodatne informacije

Standardni paket
25

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXTT30N50L2

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

littelfuse

IXFN26N100P

MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B

littelfuse

IXTA220N04T2-7

MOSFET N-CH 40V 220A TO263-7

littelfuse

IXTH04N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV