IXFK24N100Q3
Številka izdelka proizvajalca:

IXFK24N100Q3

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFK24N100Q3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 24A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Zaloga:

1745 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12823373
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFK24N100Q3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Q3 Class
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
440mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
6.5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1000W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-264AA (IXFK)
Paket / Primer
TO-264-3, TO-264AA
Osnovna številka izdelka
IXFK24

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
25

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
nxp-semiconductors

BUK9535-55,127

MOSFET N-CH 55V 34A TO220AB

infineon-technologies

IRF8734PBF

MOSFET N-CH 30V 21A 8SO

infineon-technologies

IRF3707ZSTRR

MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK

infineon-technologies

IRF6641TR1PBF

MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET