Številka izdelka proizvajalca:
IXFK32N80Q3
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFK32N80Q3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Podroben opis:
N-Channel 800 V 32A (Tc) 1000W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Zaloga:
446 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12915148
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFK32N80Q3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Q3 Class
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
32A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
270mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
6.5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6940 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1000W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-264AA (IXFK)
Paket / Primer
TO-264-3, TO-264AA
Osnovna številka izdelka
IXFK32
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
-IXFK32N80Q3
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI4470EY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 9A 8SO
SI7452DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
SI4626ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
