Številka izdelka proizvajalca:
IXFK80N65X2
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFK80N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Podroben opis:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264AA
Zaloga:
591 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12913277
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFK80N65X2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Ultra X2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8245 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
890W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-264AA
Paket / Primer
TO-264-3, TO-264AA
Osnovna številka izdelka
IXFK80
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
IXFK80N65X2X-DG
IXFK80N65X2X
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRL620SPBF
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
SI7178DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
IXTK22N100L
MOSFET N-CH 1000V 22A TO264
