Številka izdelka proizvajalca:
IXFN170N30P
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFN170N30P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
Podroben opis:
N-Channel 300 V 138A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Zaloga:
86 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12821094
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFN170N30P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
300 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
138A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
258 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
20000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
890W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227B
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
IXFN170
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFT50N85XHV
MOSFET N-CH 850V 50A TO268
IXFE44N50QD3
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
IXFR24N90Q
MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
