Številka izdelka proizvajalca:
IXFN180N20
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFN180N20-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B
Podroben opis:
N-Channel 200 V 180A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Zaloga:
12819922
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFN180N20 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™
Stanje izdelka
Not For New Designs
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
180A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 8mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
660 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
22000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227B
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
IXFN180
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IXFN180N20-NDR
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXFN210N20P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXFN210N20P-DG
CENA ENOTE
33.70
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFK32N60
MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA
IXKH30N60C5
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
IXTH16P60P
MOSFET P-CH 600V 16A TO247