Številka izdelka proizvajalca:
IXFN60N80P
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFN60N80P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
Podroben opis:
N-Channel 800 V 53A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Zaloga:
12820902
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFN60N80P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
53A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
140mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 8mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
18000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1040W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227B
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
IXFN60
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
APT53F80J
PROIZVAJALEC
Microchip Technology
KOLIČINA NA VOLJO
89
ŠTEVILKA DELA
APT53F80J-DG
CENA ENOTE
52.75
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTA8N65X2
MOSFET N-CH 650V 8A TO263
IXFH42N50P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO247AD
IXTP7N60P
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
