IXFN80N50Q3
Številka izdelka proizvajalca:

IXFN80N50Q3

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFN80N50Q3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
Podroben opis:
N-Channel 500 V 63A (Tc) 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Zaloga:

10 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12820005
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFN80N50Q3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Q3 Class
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
63A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
65mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
6.5V @ 8mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
780W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227B
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
IXFN80

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXFN80N50Q3
HTML tehnični list
IXFN80N50Q3-DG
Tehnični listi
IXFN80N50Q3

Dodatne informacije

Druga imena
-IXFN80N50Q3
Standardni paket
10

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXFN240N25X3

MOSFET N-CH 250V 240A SOT227B

littelfuse

MMIX1F160N30T

MOSFET N-CH 300V 102A 24SMPD

littelfuse

IXTP1R4N60P

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB

littelfuse

IXTQ102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO3P