IXFP5N100P
Številka izdelka proizvajalca:

IXFP5N100P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFP5N100P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 5A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

41 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12906599
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFP5N100P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.8Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
6V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1830 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
250W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IXFP5N100

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXF(A,H,P)5N100P
HTML tehnični list
IXFP5N100P-DG
Tehnični listi
IXFP5N100P

Dodatne informacije

Druga imena
-IXFP5N100P
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRF730S

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRLI530G

MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220-3

vishay-siliconix

IRFL9014

MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

littelfuse

IXTN22N100L

MOSFET N-CH 1000V 22A SOT227B