IXFP7N80P
Številka izdelka proizvajalca:

IXFP7N80P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFP7N80P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 800V 7A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 800 V 7A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

299 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12905891
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFP7N80P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.44Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1890 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IXFP7N80

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXF(A,I,P)7N80P
HTML tehnični list
IXFP7N80P-DG
Tehnični listi
IXFP7N80P

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFL9110TRPBF

MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223

diodes

ZVN4206AV

MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3

vishay-siliconix

IRFPS37N50APBF

MOSFET N-CH 500V 36A SUPER247

diodes

VN10LPSTOB

MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE