IXFR200N10P

Številka izdelka proizvajalca:

IXFR200N10P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFR200N10P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247

Podroben opis:

N-Channel 100 V 133A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™

Zaloga:

230 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12819534

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

IXFR200N10P Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Littelfuse

Pakiranje

Tube

Serije

HiPerFET™, Polar

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

100 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

133A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

9mOhm @ 100A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

5V @ 8mA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

235 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

7600 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

300W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

ISOPLUS247™

Paket / Primer

TO-247-3

Osnovna številka izdelka

IXFR200

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

littelfuse

IXTP180N085T

MOSFET N-CH 85V 180A TO220AB

littelfuse

IXTT2N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 2A TO268

littelfuse

IXFH32N50

MOSFET N-CH 500V 32A TO247AD

littelfuse

IXTY32P05T

MOSFET P-CH 50V 32A TO252