Številka izdelka proizvajalca:
IXFR32N100Q3
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFR32N100Q3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 23A ISOPLUS247
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 23A (Tc) 570W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Zaloga:
30 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12908048
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
g5c9
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFR32N100Q3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Q3 Class
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
23A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
350mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
6.5V @ 8mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
195 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9940 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
570W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
ISOPLUS247™
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXFR32
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
-IXFR32N100Q3
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFBF30STRLPBF
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263
IXFT20N100P
MOSFET N-CH 1000V 20A TO268
IRC530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220-5
