IXFT26N60P
Številka izdelka proizvajalca:

IXFT26N60P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFT26N60P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 26A TO268
Podroben opis:
N-Channel 600 V 26A (Tc) 460W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Zaloga:

12908997
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFT26N60P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
26A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
270mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4150 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
460W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-268AA
Paket / Primer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Osnovna številka izdelka
IXFT26

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRF730SPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK

vishay-siliconix

IRFD310PBF

MOSFET N-CH 400V 350MA 4DIP

vishay-siliconix

IRFIBC40GLCPBF

MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3

vishay-siliconix

IRFU9120PBF

MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA