Številka izdelka proizvajalca:
IXFT52N30Q
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXFT52N30Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 52A TO268
Podroben opis:
N-Channel 300 V 52A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Zaloga:
12821511
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXFT52N30Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
-
Serije
HiPerFET™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
300 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
52A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5300 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
360W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-268AA
Paket / Primer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Osnovna številka izdelka
IXFT52
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IXFT52N30Q-NDR
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFE44N50Q
MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B
IXTH64N10L2
MOSFET N-CH 100V 64A TO247
IXTQ160N085T
MOSFET N-CH 85V 160A TO3P
