IXFX32N90P
Številka izdelka proizvajalca:

IXFX32N90P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXFX32N90P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3
Podroben opis:
N-Channel 900 V 32A (Tc) 960W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12820467
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXFX32N90P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
HiPerFET™, Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
32A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
6.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10600 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
960W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PLUS247™-3
Paket / Primer
TO-247-3 Variant
Osnovna številka izdelka
IXFX32

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXFx32N90P
HTML tehnični list
IXFX32N90P-DG
Tehnični listi
IXFX32N90P

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXTK102N30P

MOSFET N-CH 300V 102A TO264

littelfuse

IXTN102N65X2

MOSFET N-CH 650V 76A SOT227

littelfuse

IXTY55N075T

MOSFET N-CH 75V 55A TO252

littelfuse

IXTP150N15X4

MOSFET N-CH 150V 150A TO220