IXTA08N100P
Številka izdelka proizvajalca:

IXTA08N100P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTA08N100P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-263AA

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12819649
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTA08N100P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
800mA (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
240 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
42W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263AA
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IXTA08

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXT(A,P,Y)08N100P Building, Home Automation Appl Guide

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXFX230N20T

MOSFET N-CH 200V 230A PLUS247-3

littelfuse

IXTT1N300P3HV

MOSFET N-CH 3000V 1A TO268

littelfuse

IXFH50N50P3

MOSFET N-CH 500V 50A TO247AD

littelfuse

IXTQ40N50Q

MOSFET N-CH 500V 40A TO3P