Številka izdelka proizvajalca:
IXTA1N100
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTA1N100-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Zaloga:
12819906
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTA1N100 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 25µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
54W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263AA
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IXTA1
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXTA1R4N100P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
20
ŠTEVILKA DELA
IXTA1R4N100P-DG
CENA ENOTE
1.38
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFL70N60Q2
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
IXTA15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO263
IXTP120N075T2
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
