Številka izdelka proizvajalca:
IXTA4N65X2
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTA4N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Podroben opis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
Zaloga:
35 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12907603
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTA4N65X2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Ultra X2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
455 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
80W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IXTA4
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
R6007KNJTL
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
17
ŠTEVILKA DELA
R6007KNJTL-DG
CENA ENOTE
0.74
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
R6007ENJTL
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2
ŠTEVILKA DELA
R6007ENJTL-DG
CENA ENOTE
0.74
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF9620
MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB
IXFB120N50P2
MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264
IRFBC30STRLPBF
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
