Številka izdelka proizvajalca:
IXTA6N100D2
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTA6N100D2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO263
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 6A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Zaloga:
44 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12819838
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTA6N100D2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Depletion
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
-
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 3A, 0V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
95 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2650 pF @ 25 V
Funkcija FET
Depletion Mode
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263AA
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IXTA6
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTP12N50PM
MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
IXFR180N085
MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247
IXFT23N80Q
MOSFET N-CH 800V 23A TO268
