IXTB62N50L

Številka izdelka proizvajalca:

IXTB62N50L

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTB62N50L-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264

Podroben opis:

N-Channel 500 V 62A (Tc) 800W (Tc) Through Hole PLUS264™

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12822259

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

IXTB62N50L Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Littelfuse

Pakiranje

Tube

Serije

Linear

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

500 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

62A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

20V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

100mOhm @ 31A, 20V

vgs(th) (maks) @ id

5.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

550 nC @ 20 V

Vgs (maks)

±30V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

11500 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

800W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

PLUS264™

Paket / Primer

TO-264-3, TO-264AA

Osnovna številka izdelka

IXTB62

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket

25

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

nxp-semiconductors

PHD18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

littelfuse

IXTH72N20

MOSFET N-CH 200V 72A TO247

littelfuse

IXFN32N120

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

infineon-technologies

IRFR120Z

MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK