Številka izdelka proizvajalca:
IXTF6N200P3
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTF6N200P3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 2000V 4A I4PAC
Podroben opis:
N-Channel 2000 V 4A (Tc) 215W (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Zaloga:
12821834
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTF6N200P3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Polar P3™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
2000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3700 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
215W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
ISOPLUS i4-PAC™
Paket / Primer
ISOPLUSi5-PAK™
Osnovna številka izdelka
IXTF6
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFP26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
IXFQ24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
IXFH130N15X3
MOSFET N-CH 150V 130A TO247
