IXTH30N50L2
Številka izdelka proizvajalca:

IXTH30N50L2

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTH30N50L2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 30A TO247
Podroben opis:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Zaloga:

178 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12912243
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTH30N50L2 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Linear L2™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
400W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXTH30

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFP150

MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3

vishay-siliconix

IRFD420PBF

MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP

littelfuse

IXFN48N50Q

MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B

vishay-siliconix

IRFU220PBF

MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA