Številka izdelka proizvajalca:
IXTH30N60P
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTH30N60P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Zaloga:
648 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12820305
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTH30N60P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
240mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5050 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
540W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXTH30
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTA180N10T7
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
IXFN23N100
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
IXTY1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252