IXTH52P10P
Številka izdelka proizvajalca:

IXTH52P10P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTH52P10P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 100V 52A TO247
Podroben opis:
P-Channel 100 V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Zaloga:

179 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12821953
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTH52P10P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
PolarP™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
52A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
50mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2845 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXTH52

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXT(A,H,P,Q)52P10P
HTML tehnični list
IXTH52P10P-DG
Tehnični listi
IXTH52P10P

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXFN210N30X3

MOSFET N-CH 300V 210A SOT227B

littelfuse

IXFC22N60P

MOSFET N-CH 600V 12A ISOPLUS220

littelfuse

IXTP88N085T

MOSFET N-CH 85V 88A TO220AB

littelfuse

VMO60-05F

MOSFET N-CH 500V 60A TO240AA