IXTH60N10
Številka izdelka proizvajalca:

IXTH60N10

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTH60N10-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 60A TO247
Podroben opis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12821655
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTH60N10 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXTH60

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXT(H,T)60N10
HTML tehnični list
IXTH60N10-DG
Tehnični listi
IXTH60N10

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXTT140N10P

MOSFET N-CH 100V 140A TO268

littelfuse

IXTC13N50

MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220

littelfuse

IXTY2N100P

MOSFET N-CH 1000V 2A TO252

littelfuse

IXFB100N50Q3

MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264