Številka izdelka proizvajalca:
IXTH80N65X2
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTH80N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 80A TO247
Podroben opis:
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Zaloga:
12821637
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTH80N65X2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Ultra X2
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
40mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 4mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
144 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7753 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
890W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXTH80
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPW65R045C7FKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1670
ŠTEVILKA DELA
IPW65R045C7FKSA1-DG
CENA ENOTE
6.73
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SCT3030ALGC11
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
10017
ŠTEVILKA DELA
SCT3030ALGC11-DG
CENA ENOTE
21.41
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTP100N15X4
MOSFET N-CH 150V 100A TO220
IXTA3N100D2HV
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
IXFH50N60X
MOSFET N-CH 600V 50A TO247