Številka izdelka proizvajalca:
IXTH8P50
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTH8P50-DG
Opis:
MOSFET P-CH 500V 8A TO247
Podroben opis:
P-Channel 500 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Zaloga:
12911809
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTH8P50 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
180W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247 (IXTH)
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IXTH8
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IXTH8P50-NDR
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI4888DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
IRFPS40N50LPBF
MOSFET N-CH 500V 46A SUPER247
IRFP360LC
MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
