Številka izdelka proizvajalca:
IXTN120N25
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTN120N25-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B
Podroben opis:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 730W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Zaloga:
12820848
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
ckiL
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTN120N25 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
-
Serije
MegaMOS™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
120A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7700 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
730W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227B
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
IXTN120
Dodatne informacije
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTV22N60P
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
IXTV03N400S
MOSFET N-CH 4000V 300MA PLUS220
IXFK32N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
