IXTN32P60P
Številka izdelka proizvajalca:

IXTN32P60P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTN32P60P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
Podroben opis:
P-Channel 600 V 32A (Tc) 890W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

Zaloga:

226 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12820869
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTN32P60P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
PolarP™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
32A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
350mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
890W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227B
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
IXTN32

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXTN32P60P
HTML tehnični list
IXTN32P60P-DG
Tehnični listi
IXTN32P60P

Dodatne informacije

Standardni paket
10

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXTH6N150

MOSFET N-CH 1500V 6A TO247

littelfuse

IXTP270N04T4

MOSFET N-CH 40V 270A TO220AB

littelfuse

IXFR24N50

MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

littelfuse

IXTQ54N30T

MOSFET N-CH 300V 54A TO3P