IXTP05N100M
Številka izdelka proizvajalca:

IXTP05N100M

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTP05N100M-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 700MA TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 700mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

500 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12821151
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTP05N100M Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
700mA (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
17Ohm @ 375mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 25µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
260 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IXTP05

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXTP05N100M
HTML tehnični list
IXTP05N100M-DG
Tehnični listi
IXTP05N100M

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXFN280N07

MOSFET N-CH 70V 280A SOT-227B

littelfuse

IXTA130N10T

MOSFET N-CH 100V 130A TO263

littelfuse

IXTV110N25TS

MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD

littelfuse

IXFN230N10

MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B