Številka izdelka proizvajalca:
IXTP1R6N100D2
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTP1R6N100D2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12820748
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTP1R6N100D2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Depletion
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
645 pF @ 25 V
Funkcija FET
Depletion Mode
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IXTP1
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXTP110N12T2
MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB
IXFB70N100X
MOSFET N-CH 1000V 70A PLUS264
IXFK36N60P
MOSFET N-CH 600V 36A TO264AA
