IXTP3N100D2
Številka izdelka proizvajalca:

IXTP3N100D2

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTP3N100D2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 3A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12904405
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTP3N100D2 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Depletion
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
-
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.5Ohm @ 1.5A, 0V
vgs(th) (maks) @ id
-
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
37.5 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1020 pF @ 25 V
Funkcija FET
Depletion Mode
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IXTP3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXT(A,P)3N100D2
HTML tehnični list
IXTP3N100D2-DG
Tehnični listi
IXTP3N100D2

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
diodes

ZVN3320ASTZ

MOSFET N-CH 200V 100MA E-LINE

diodes

ZVN4310GTA

MOSFET N-CH 100V 1.67A SOT223

diodes

ZXM64N035GTA

MOSFET N-CH 35V 4.8A/6.7A SOT223

diodes

ZXMN2069FTA

MOSFET N-CH SOT23-3