IXTP52P10P
Številka izdelka proizvajalca:

IXTP52P10P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTP52P10P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB
Podroben opis:
P-Channel 100 V 52A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

415 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12903274
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTP52P10P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
PolarP™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
52A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
50mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2845 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IXTP52

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
fairchild-semiconductor

FDZ209N

MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA

littelfuse

IXFH30N50Q

MOSFET N-CH 500V 30A TO247AD

diodes

DMP1070UCA3-7

MOSFET P-CH 12V 3.6A X4DSN0607-3

diodes

ZXMP6A17E6QTA

MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26