Številka izdelka proizvajalca:
IXTT36N50P
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTT36N50P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 36A TO268
Podroben opis:
N-Channel 500 V 36A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Zaloga:
247 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12910870
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTT36N50P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
36A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
170mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5500 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
540W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-268AA
Paket / Primer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Osnovna številka izdelka
IXTT36
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF530PBF
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
IRLU110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
IRL510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
