IXTX32P60P
Številka izdelka proizvajalca:

IXTX32P60P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTX32P60P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 600V 32A PLUS247-3
Podroben opis:
P-Channel 600 V 32A (Tc) 890W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Zaloga:

674 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12819325
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTX32P60P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
PolarP™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
32A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
350mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
196 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
11100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
890W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PLUS247™-3
Paket / Primer
TO-247-3 Variant
Osnovna številka izdelka
IXTX32

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
IXT(K,X)32P60P
HTML tehnični list
IXTX32P60P-DG
Tehnični listi
IXTX32P60P

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
littelfuse

IXTQ480P2

MOSFET N-CH 500V 52A TO3P

littelfuse

IXFN72N55Q2

MOSFET N-CH 550V 72A SOT-227B

littelfuse

IXTH14N100

MOSFET N-CH 1000V 14A TO247

littelfuse

IXTB30N100L

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264