Številka izdelka proizvajalca:
IXTY01N80
Product Overview
Proizvajalec:
IXYS
DiGi Electronics Številka dela:
IXTY01N80-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 100MA TO252AA
Podroben opis:
N-Channel 800 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
12819098
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IXTY01N80 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100mA (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
50Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 25µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
60 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
IXTY01
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RFD3055LESM9A
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
2171
ŠTEVILKA DELA
RFD3055LESM9A-DG
CENA ENOTE
0.23
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFP60N25X3
MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB
FMD80-0045PS
MOSFET N-CH 55V 150A I4PAC
IXFP38N30X3
MOSFET N-CH 300V 38A TO220
