Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
LSIC1MO120E0080
Product Overview
Proizvajalec:
Littelfuse Inc.
DiGi Electronics Številka dela:
LSIC1MO120E0080-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 39A (Tc) 179W (Tc) Through Hole TO-247AD
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12863670
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
LSIC1MO120E0080 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
39A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 10mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
95 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+22V, -6V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1825 pF @ 800 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
179W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247AD
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
LSIC1MO120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
LSIC1MO120E0080 Datasheet
HTML tehnični list
LSIC1MO120E0080-DG
Tehnični listi
LSIC1MO120E0080
Dodatne informacije
Druga imena
-LSIC1MO120E0080
F10335
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SCT3080KLGC11
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
325
ŠTEVILKA DELA
SCT3080KLGC11-DG
CENA ENOTE
12.39
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STW40N95K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1127
ŠTEVILKA DELA
STW40N95K5-DG
CENA ENOTE
10.89
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STWA40N95DK5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
315
ŠTEVILKA DELA
STWA40N95DK5-DG
CENA ENOTE
10.19
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF734L
MOSFET N-CH 450V 4.9A I2PAK
RQA0009TXDQS#H1
MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK
RJK0349DSP-01#J0
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOP
RJK0852DPB-00#J5
MOSFET N-CH 80V 30A LFPAK